《北京市原子級制造創(chuàng)新發(fā)展行動計劃（2026—2028年）》印發(fā)

　　【儀表網(wǎng) 行業(yè)政策】1月30日，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局印發(fā)《北京市原子級制造創(chuàng)新發(fā)展行動計劃(2026—2028年)》，圍繞半導(dǎo)體、新材料等領(lǐng)域典型應(yīng)用，加快突破原子級制造工業(yè)軟件和重點裝備。
 

　　北京市原子級制造創(chuàng)新發(fā)展行動計劃(2026—2028年)

 

　　為加快推動本市原子級制造產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，特制定本計劃。圍繞半導(dǎo)體、新材料等領(lǐng)域典型應(yīng)用，加快突破原子級制造工業(yè)軟件和重點裝備。力爭到2028年，面向半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域，開發(fā)5種原子級制造軟件工具，研制不少于10項原子級制造創(chuàng)新裝備，形成10類原子級制造典型應(yīng)用和解決方案，初步構(gòu)建國內(nèi)領(lǐng)先的原子級制造技術(shù)創(chuàng)新高地和典型應(yīng)用標(biāo)桿。
 

　　一、實施原子級制造軟件支撐工程
 

　　1.開發(fā)原子級動態(tài)仿真軟件。支持高校院所和企業(yè)攻克量子效應(yīng)、界面態(tài)調(diào)控、缺陷演化機制等技術(shù)，應(yīng)用人工智能技術(shù)，研發(fā)支持原子級精準(zhǔn)建模、多場耦合模擬、制程參數(shù)優(yōu)化、質(zhì)量監(jiān)測的仿真軟件，提升原子級制造預(yù)測精度、工藝仿真效率與制造過程可調(diào)控性。
 

　　2.開發(fā)原子級制造工藝設(shè)計軟件。支持高校院所和企業(yè)攻克原子級界面性質(zhì)預(yù)測、動態(tài)模擬及界面材料設(shè)計等技術(shù)，建立面向原子級制造界面服役行為的原子尺度模擬預(yù)測軟件，支撐原子級精度表面材料去除、接觸界面原子級磨損調(diào)控等工藝實現(xiàn)。
 

　　3.開發(fā)原子級相變調(diào)控軟件。支持高校院所和企業(yè)攻克原子級相結(jié)構(gòu)演化、路徑篩選、晶界模擬技術(shù)瓶頸，研發(fā)遍歷性相變搜索與調(diào)控軟件，支撐電子器件失效性及良品率工藝改良性研究。
 

　　4.開發(fā)原子級表面檢測軟件。支持企業(yè)攻克原子級表面檢測關(guān)鍵技術(shù)，研制檢測裝備配套軟件，支撐等離子輔助拋光、彈性發(fā)射加工、離子束拋光等在機械平坦化設(shè)備上實現(xiàn)工程應(yīng)用。
 

　　5.構(gòu)建原子級制造基礎(chǔ)數(shù)據(jù)庫。支持高校院所和企業(yè)構(gòu)建原子級結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、材料性質(zhì)、器件性能的跨尺度預(yù)測技術(shù)框架，建立標(biāo)準(zhǔn)化的原子級制造理論數(shù)據(jù)庫，為原子制造過程的結(jié)構(gòu)篩選、逆向設(shè)計、工藝優(yōu)化等提供數(shù)據(jù)支持。
 

　　二、實施原子級加工裝備攻關(guān)工程
 

　　1.攻關(guān)單晶硅晶圓埃米級去除裝備。支持企業(yè)開展光輔助化學(xué)機械拋光、電輔助化學(xué)機械拋光、等離子體輔助拋光、超聲輔助化學(xué)機械拋光等核心技術(shù)攻關(guān)，實現(xiàn)單晶硅晶圓去除率達(dá)到埃米級，表面起伏達(dá)到原子級精度，滿足半導(dǎo)體前道工序晶圓制備工藝需求。
 

　　2.攻關(guān)硅晶圓原子級精度刻蝕裝備。支持企業(yè)開展原子層精確刻蝕控制技術(shù)攻關(guān)，實現(xiàn)原子精度硅基晶圓刻蝕，滿足半導(dǎo)體先進(jìn)制程產(chǎn)線需求，刻蝕片內(nèi)均勻性、刻蝕片間均勻性等指標(biāo)滿足半導(dǎo)體中段工藝刻蝕工藝需求。
 

　　3.攻關(guān)半導(dǎo)體晶圓微米級減薄裝備。支持企業(yè)開展半導(dǎo)體晶圓封裝原子級減薄控制技術(shù)攻關(guān)，實現(xiàn)12英寸鍵合晶圓單邊可減薄到微米級，滿足先進(jìn)封裝、高帶寬存儲器堆疊表面加工需求。
 

　　4.攻關(guān)超高速軸承材料制備裝備。支持高校院所和企業(yè)開展超滑近零損傷材料攻關(guān)，實現(xiàn)航空航天等領(lǐng)域高性能核心運動表面的磨損率量級優(yōu)化，滿足高可靠長壽命軸承等核心零部件的制造需求。
 

　　5.攻關(guān)二維金屬材料制備裝備。支持高校院所和企業(yè)開展范德華擠壓等技術(shù)攻關(guān)，研制二維金屬擠壓裝備，實現(xiàn)材料厚度達(dá)到納米級的多種二維金屬制備。
 

　　6.攻關(guān)半導(dǎo)體超高真空環(huán)境保持裝備。支持企業(yè)開展原子級制造超高真空離子復(fù)合泵核心部件攻關(guān)，提升超高真空泵對氫氣、甲烷等氣體抽送速度，滿足半導(dǎo)體制造腔體超高真空使用需求。
 

　　三、實施原子級構(gòu)筑裝備攻關(guān)工程
 

　　1.攻關(guān)薄膜沉積裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克高均勻性、薄膜表面低顆粒水平控制技術(shù)，研制金屬鎢、氧化鋁、氮化硅等材料薄膜沉積裝備，實現(xiàn)原子級厚度薄膜制備。
 

　　2.攻關(guān)靶材制備裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克材料提純、晶體生長與取向控制等核心技術(shù)，研制單晶銅電鑄原子級構(gòu)筑等裝備，實現(xiàn)單晶銅靶材規(guī)模化制備。
 

　　3.攻關(guān)外延生長裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克原子級精度外延生長核心技術(shù)，研制二維半導(dǎo)體材料外延裝備，實現(xiàn)8英寸晶圓二硫化鉬等單原子層薄膜制備。
 

　　4.攻關(guān)離子注入裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克離子生成、加速、篩選、注入及后處理等精準(zhǔn)摻雜控制技術(shù)，研制離子注入裝備，提升束流均勻性、平行度、最大發(fā)散角、能量精度控制能力，支撐半導(dǎo)體先進(jìn)制程工藝。
 

　　5.攻關(guān)原子級圖案化結(jié)構(gòu)構(gòu)筑裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克原子自組裝、掃描探針、納米壓印等核心技術(shù)，研制原子級圖案化結(jié)構(gòu)構(gòu)筑裝備，在宏觀柔性基底表面實現(xiàn)多種電子納米材料圖案高精度構(gòu)筑，滿足柔性電子器件制造需求。
 

　　6.攻關(guān)硅基可控碳原子連續(xù)沉積裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克特種氣氛條件下，大尺寸、連續(xù)化、硅基碳原子連續(xù)沉積裝備，研制高定向碳膜與硅晶圓復(fù)合材料，實現(xiàn)高靈敏特種傳感器和超高導(dǎo)熱硅晶圓制備。
 

　　四、實施原子級性能測量裝備攻關(guān)工程
 

　　1.攻關(guān)激光干涉測量裝備。支持企業(yè)攻克光波相位穩(wěn)定性控制與納米級運動誤差抑制等核心技術(shù)，研制亞埃級邁克爾遜激光干涉測量裝備，實現(xiàn)氣浮工件臺超精密位置測量，滿足前道圖形制作裝備實現(xiàn)套刻精度的測量表征需求。
 

　　2.聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域先進(jìn)制程芯片制造與新材料領(lǐng)域特殊性能材料規(guī)模化創(chuàng)制需求，開展原子級制造工藝技術(shù)、核心裝備的成熟度提升，以及典型場景原子級制造集成驗證，牽引和帶動原子級制造技術(shù)與裝備“成組連線”應(yīng)用試點。
 

　　梯度培育原子級制造領(lǐng)域科技型中小企業(yè)、高新技術(shù)企業(yè)，創(chuàng)新型中小企業(yè)、專精特新中小企業(yè)、專精特新“小巨人”企業(yè)。加強瞪羚企業(yè)、獨角獸企業(yè)和制造業(yè)單項冠軍企業(yè)的識別和培育。積極爭取國家專項資金支持，統(tǒng)籌市、區(qū)財政資金，組織原子級制造領(lǐng)域標(biāo)志性產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。將原子級制造作為“創(chuàng)贏未來”路演方向，對企業(yè)實施的新技術(shù)新產(chǎn)品攻關(guān)驗證、典型場景建設(shè)等早期創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)項目給予資金支持。鼓勵企業(yè)和高校引育高水平復(fù)合型人才，加強產(chǎn)業(yè)人才隊伍建設(shè)。推動優(yōu)勢區(qū)域和產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)建設(shè)原子級制造產(chǎn)業(yè)育新平臺，強化用地保障。推動設(shè)立原子級制造標(biāo)準(zhǔn)化委員會，建設(shè)原子級制造領(lǐng)域制造業(yè)中試平臺等載體，充分發(fā)揮原子級制造創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟優(yōu)勢，服務(wù)和支撐本市原子級制造產(chǎn)業(yè)高水平創(chuàng)新發(fā)展。